全工作區(qū)和寬安全工作區(qū)等之分。按器件封裝分，有單管和模塊兩類。按器件參數(shù)分，包括了不同等級的電流電壓規(guī)格。

IGBT 是新型的半導體復合器件，其結構原理是一種電導調(diào)制的 MOSFET，

       或   MOS 驅(qū)動的雙極晶體管。因此，它集合了單極器件和多極器件優(yōu)點，特別適合在感應加熱電源中應用。從應用特性上，IGBT 具有如下特點：

       (1)全控型器件，電壓驅(qū)動，易于控制；

       (2)輸出阻斷電壓高、載流密度大、通態(tài)壓降低，適合與較高的電壓和功率配合應用；

       (3)開關動態(tài)性能介于 MOS 與 GTR 之間，目前*高工作頻率為 100kHz 左右；

       (4)可實現(xiàn)較寬的安全工作區(qū)，無二次擊穿現(xiàn)象，但應避免擎住效應

      （5） IGBT 的轉(zhuǎn)移特性，它描述的是集電極電流 Ic 與柵極電壓 UGE 之間的關系，與電力 MOSFET 的轉(zhuǎn)移特性類似。開啟電壓UGE(th)是 IGBT 能實現(xiàn)電導調(diào)制而導通的*低柵射電壓。